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文献
J-GLOBAL ID：201702237534725785
整理番号：17A1181733
両面陽極酸化多孔質アルミナを用いた抵抗スイッチングメモリ構造の作製【Powered by NICT】
Fabrication of resistive switching memory structure using double-sided-anodized porous alumina
Morishita Yoshitaka
(Department of Applied Physics, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan)
,
Hosono Takaya
(Department of Applied Physics, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan)
,
Ogawa Hiroto
(Department of Applied Physics, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 131 ページ： 30-33 発行年： 2017年
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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