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文献
J-GLOBAL ID：201702237984271209
整理番号：17A0132821
パーコレーション絶縁体から2次元金属への転移に伴うHfO2/Parylene-C/SrTiO3電界効果トランジスタの非単調電圧利得の符号変化
Sign-changing non-monotonic voltage gain of HfO2/Parylene-C/SrTiO3 field-effect transistor due to percolative insulator to two-dimensional metal transition
Schulman Alejandro
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), AIST Tsukuba Central 5, Tsukuba 305-8565, Japan)
,
Kitoh Ai
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), AIST Tsukuba Central 5, Tsukuba 305-8565, Japan)
,
Stoliar Pablo
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), AIST Tsukuba Central 5, Tsukuba 305-8565, Japan)
,
Inoue Isao H.
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), AIST Tsukuba Central 5, Tsukuba 305-8565, Japan)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 110 号： 1 ページ： 013502-013502-4 発行年： 2017年01月02日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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