文献
J-GLOBAL ID:201702238021434783
整理番号:17A0664974
種々のスカンジウムドーピング下の極薄炭化ほう素単分子層の操作エネルギー貯蔵特性【Powered by NICT】
Manipulating energy storage characteristics of ultrathin boron carbide monolayer under varied scandium doping
著者 (5件):
Naqvi S. R.
(Condensed Matter Theory Group, Department of Physics and Astronomy, Uppsala University, Box 516, SE-75120 Uppsala, Sweden)
,
Hussain T.
,
Panigrahi P.
,
Luo W.
,
Ahuja R.
資料名:
RSC Advances (Web)
(RSC Advances (Web))
巻:
7
号:
14
ページ:
8598-8605
発行年:
2017年
JST資料番号:
U7055A
ISSN:
2046-2069
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)