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文献
J-GLOBAL ID：201702238060746480
整理番号：17A0513633
残留応力増幅を用いたエピタキシャルシリコンカーバイドナノ構造における超高歪み
Ultra-high strain in epitaxial silicon carbide nanostructures utilizing residual stress amplification
Phan Hoang-Phuong
(Queensland Micro and Nanotechnology Centre, Griffith University, Brisbane, QLD 4111, Australia)
,
Nguyen Tuan-Khoa
(Queensland Micro and Nanotechnology Centre, Griffith University, Brisbane, QLD 4111, Australia)
,
Dinh Toan
(Queensland Micro and Nanotechnology Centre, Griffith University, Brisbane, QLD 4111, Australia)
,
Ina Ginnosuke
(Department of Mechanical Engineering, University of Hyogo, Hyogo 671-2280, Japan)
,
Kermany Atieh Ranjbar
(Queensland Micro and Nanotechnology Centre, Griffith University, Brisbane, QLD 4111, Australia)
,
Qamar Afzaal
(Queensland Micro and Nanotechnology Centre, Griffith University, Brisbane, QLD 4111, Australia)
,
Han Jisheng
(Queensland Micro and Nanotechnology Centre, Griffith University, Brisbane, QLD 4111, Australia)
,
Namazu Takahiro
(Department of Mechanical Engineering, Aichi Institute of Technology, Toyota 470-0392, Japan)
,
Maeda Ryutaro
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8560, Japan)
,
Dao Dzung Viet
(Queensland Micro and Nanotechnology Centre, Griffith University, Brisbane, QLD 4111, Australia)
,
Nguyen Nam-Trung
(Queensland Micro and Nanotechnology Centre, Griffith University, Brisbane, QLD 4111, Australia)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 110 号： 14 ページ： 141906-141906-5 発行年： 2017年04月03日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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