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J-GLOBAL ID：201702238077497905 整理番号：17A0605012

300°Cプロセスによって形成した自己整合四端子Cu-MIC poly-Ge TFTの開発

Self-Aligned Four-Terminal Cu-MIC Poly-Ge TFTs Fabricated at 300°C on Glass Substrate

著者 (5件)：

内海大樹

(東北学院大工)

佐々木大精

(東北学院大工)

関口竣也

(東北学院大工)

竹内翔弥

(東北学院大工)

原明人

(東北学院大工)

資料名：

電子情報通信学会技術研究報告 (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻： 117 号： 7(SDM2017 1-8) ページ： 1-4 発行年： 2017年04月13日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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