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文献
J-GLOBAL ID：201702238126514962
整理番号：17A1604155
金属Cd源を用いた気相エピタキシーによる(211)Si基板上のCdTeの直接成長
Direct Growth of CdTe on a (211) Si Substrate with Vapor Phase Epitaxy Using a Metallic Cd Source
ISO Kenji
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
ISO Kenji
(Mitsubishi Chemical Corp., Ibaraki, JPN)
,
GOKUDAN Yuya
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
SHIRAISHI Masumi
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
MURAKAMI Hisashi
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
KOUKITU Akinori
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻： 46 号： 10 ページ： 5884-5888 発行年： 2017年10月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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