文献
J-GLOBAL ID:201702238202102995
整理番号:17A1811045
p型ゲート集積AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタの界面トラップ
Interface trap of p-type gate integrated AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors
著者 (1件):
KIM Kyu Sang
(Sangji Univ., Gangwon, KOR)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
56
号:
9
ページ:
091002.1-091002.5
発行年:
2017年09月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)