文献
J-GLOBAL ID:201702238317255818
整理番号:17A1640748
NiSiソース/ドレインをもつ誘電体工学ドーパント偏析Schottky障壁MOSFETの設計と研究【Powered by NICT】
Design and Investigation of Dielectric Engineered Dopant Segregated Schottky Barrier MOSFET With NiSi Source/Drain
著者 (2件):
Kale Sumit
(Department of Electronics and Communication Engineering, VLSI Electron Device and Nano-Technology Research Group, PDPM-Indian Institute of Information Technology Design and Manufacturing, Jabalpur, India)
,
Kondekar Pravin N.
(Department of Electronics and Communication Engineering, VLSI Electron Device and Nano-Technology Research Group, PDPM-Indian Institute of Information Technology Design and Manufacturing, Jabalpur, India)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
64
号:
11
ページ:
4400-4407
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)