文献
J-GLOBAL ID:201702238348262163
整理番号:17A0766953
分子ビームエピタクシーにより成長させたGaAsベースのInAs/GaSb超格子の短波長赤外検出器【Powered by NICT】
GaAs Based InAs/GaSb Superlattice Short Wavelength Infrared Detectors Grown by Molecular Beam Epitaxy
著者 (7件):
TANG Bao
(Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences)
,
XU Ying-Qiang
(Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences)
,
ZHOU Zhi-Qiang
(Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences)
,
HAO Rui-Ting
(Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences)
,
WANG Guo-Wei
(Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences)
,
REN Zheng-Wei
(Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences)
,
NIU Zhi-Chuan
(Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences)
資料名:
Chinese Physics Letters
(Chinese Physics Letters)
巻:
26
号:
2
ページ:
271-273
発行年:
2009年
JST資料番号:
W1191A
ISSN:
0256-307X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)