文献
J-GLOBAL ID:201702238489192099
整理番号:17A1548173
0バンドギャップ二重ゲートシリセン電界効果トランジスタにおける電流飽和とキンク効果【Powered by NICT】
Current saturation and kink effect in zero-bandgap double-gate silicene field-effect transistors
著者 (2件):
Patel Nishant
(School of VLSI Design and Embedded Systems, National Institute of Technology, Kurukshetra, India)
,
Choudhary Sudhanshu
(School of VLSI Design and Embedded Systems, National Institute of Technology, Kurukshetra, India)
資料名:
Superlattices and Microstructures
(Superlattices and Microstructures)
巻:
110
ページ:
155-161
発行年:
2017年
JST資料番号:
D0600B
ISSN:
0749-6036
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)