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J-GLOBAL ID:201702238579637689   整理番号:17A1380289

空格子点欠陥を持つZnドープInGaAs発光層の電子的および光学的性質:DFT研究【Powered by NICT】

Electronic and optical properties of Zn-doped InGaAs emission layer with vacancy defects: A DFT study
著者 (6件):
Guo Jing
(School of Automation, Nanjing Institute of Technology, Nanjing 211167, China)
Guo Jing
(Institute of Electronic Engineering and Optoelectronic Technology, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210094, China)
Zhou Minhua
(Institute of Electronic Engineering and Optoelectronic Technology, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210094, China)
Zhao Jing
(School of Automation, Nanjing Institute of Technology, Nanjing 211167, China)
Zhou Lei
(School of Automation, Nanjing Institute of Technology, Nanjing 211167, China)
Xiong Liansong
(School of Automation, Nanjing Institute of Technology, Nanjing 211167, China)

資料名:
Optik  (Optik)

巻: 143  ページ: 135-141  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0251A  ISSN: 0030-4026  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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