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文献
J-GLOBAL ID：201702238728707981
整理番号：17A0697155
スパッタリング法によるSi上に成長させたSiCの結晶性制御【Powered by NICT】
Crystallinity control of SiC grown on Si by sputtering method
Watanabe Ryosuke
(Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan)
,
Tsukamoto Takahiro
(Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan)
,
Kamisako Koichi
(Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan)
,
Suda Yoshiyuki
(Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 463 ページ： 67-71 発行年： 2017年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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