文献
J-GLOBAL ID:201702238732900736
整理番号:17A0204226
Siベースゲルマニウム材料とデバイスの研究の進歩【Powered by NICT】
Research progress of Si-based germanium materials and devices
著者 (4件):
Cheng Buwen
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Li Cheng
(Department of Physics, Semiconductor Photonics Research Center, Xiamen University)
,
Liu Zhi
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Xue Chunlai
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
資料名:
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻:
37
号:
8
ページ:
081001-1-081001-9
発行年:
2016年
JST資料番号:
C2377A
ISSN:
1674-4926
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)