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文献
J-GLOBAL ID：201702238903675513
整理番号：17A1262413
MoS_2電界効果トランジスタに対する誘電体キャッピング効果による効率的なしきい値電圧調整技術【Powered by NICT】
Efficient Threshold Voltage Adjustment Technique by Dielectric Capping Effect on MoS2 Field-Effect Transistor
Park June
(Department of Nano Semiconductor Engineering, Korea University, Seoul, South Korea)
,
Kang Dong-Ho
(School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, South Korea)
,
Kim Jong-Kook
(School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul, South Korea)
,
Park Jin-Hong
(School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, South Korea)
,
Yu Hyun-Yong
(School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul, South Korea)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 38 号： 8 ページ： 1172-1175 発行年： 2017年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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