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文献
J-GLOBAL ID：201702238972448273
整理番号：17A1444448
量子カスケードレーザ構造におけるAl_0 45Ga_0 1.55As/In-xGa_1xAs活性領域における歪緩和の開始について【Powered by NICT】
On the onset of strain relaxation in the Al0.45Ga0.55As/InxGa1-xAs active region in quantum cascade laser structures
Sankowska Iwona
(Institute of Electron Technology, Al. Lotnikow 32/46, Warsaw, 02-668, Poland)
,
Gutowski Piotr
(Institute of Electron Technology, Al. Lotnikow 32/46, Warsaw, 02-668, Poland)
,
Jasik Agata
(Institute of Electron Technology, Al. Lotnikow 32/46, Warsaw, 02-668, Poland)
,
Czuba Krzysztof
(Institute of Electron Technology, Al. Lotnikow 32/46, Warsaw, 02-668, Poland)
,
Dabrowski Jerzy
(Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Al. Lotnikow 32/46, Warsaw, 02-668, Poland)
,
Bugajski Maciej
(Institute of Electron Technology, Al. Lotnikow 32/46, Warsaw, 02-668, Poland)
資料名：
Journal of Applied Crystallography
(Journal of Applied Crystallography)
巻： 50 号： 5 ページ： 1376-1381 発行年： 2017年
JST資料番号： D0631A ISSN： 0021-8898 CODEN： JACGAR 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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