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文献
J-GLOBAL ID：201702239027204260
整理番号：17A0482472
プラズマエッチングによる剥離準二次元β-Ga2O3薄片の厚み調節
Tuning the thickness of exfoliated quasi-two-dimensional β-Ga2O3 flakes by plasma etching
Kwon Yongbeom
(Department of Chemical and Biological Engineering, Korea University, Seoul 02841, South Korea)
,
Lee Geonyeop
(Department of Chemical and Biological Engineering, Korea University, Seoul 02841, South Korea)
,
Oh Sooyeoun
(Department of Chemical and Biological Engineering, Korea University, Seoul 02841, South Korea)
,
Kim Jihyun
(Department of Chemical and Biological Engineering, Korea University, Seoul 02841, South Korea)
,
Pearton Stephen J.
(Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA)
,
Ren Fan
(Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 110 号： 13 ページ： 131901-131901-5 発行年： 2017年03月27日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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