文献
J-GLOBAL ID:201702239245433136
整理番号:17A0113585
GaN上の低抵抗率シリコン技術のための低損失MMIC実行可能な伝送媒体【Powered by NICT】
Low-Loss MMICs Viable Transmission Media for GaN-on-Low Resistivity Silicon Technology
著者 (6件):
Eblabla A.
(School of EngineeringThe University of Glasgow)
,
Benakaprasad B.
(School of EngineeringThe University of Glasgow)
,
Li X.
(School of EngineeringThe University of Glasgow)
,
Wallis D. J.
(Cambridge Centre for GaNThe University of Cambridge)
,
Guiney I.
(Cambridge Centre for GaNThe University of Cambridge)
,
Elgaid K.
(School of EngineeringThe University of Glasgow)
資料名:
IEEE Microwave and Wireless Components Letters
(IEEE Microwave and Wireless Components Letters)
巻:
27
号:
1
ページ:
10-12
発行年:
2017年
JST資料番号:
W0099A
ISSN:
1531-1309
CODEN:
IMWCBJ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)