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文献
J-GLOBAL ID：201702239357911863
整理番号：17A1256484
垂直接合分離を用いたTLMとCTLM構造における漏れ電流への対処【Powered by NICT】
Dealing with leakage current in TLM and CTLM structures with vertical junction isolation
Bystrova Svetlana N.
(MESA+ Institute for Nanotechnology, University of Twente, Enschede, The Netherlands)
,
Smits Sander M.
(MESA+ Institute for Nanotechnology, University of Twente, Enschede, The Netherlands)
,
Klootwijk Johan H.
(Philips Research, Eindhoven, The Netherlands)
,
Wolters Rob A. M.
(MESA+ Institute for Nanotechnology, University of Twente, Enschede, The Netherlands)
,
Kovalgin Alexey Y.
(MESA+ Institute for Nanotechnology, University of Twente, Enschede, The Netherlands)
,
Nanver Lis K.
(MESA+ Institute for Nanotechnology, University of Twente, Enschede, The Netherlands)
,
Schmitz Jurriaan
(MESA+ Institute for Nanotechnology, University of Twente, Enschede, The Netherlands)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： ICMTS ページ： 1-6 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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