文献
J-GLOBAL ID:201702239382593115
整理番号:17A1651708
無接合トランジスタの周りのすべての楕円ゲート上に強誘電体SBT/PZTの影響を研究するための解析モデル【Powered by NICT】
Analytical model to study the impact of ferroelectric materials SBT/PZT on elliptical gate all around junctionless transistor
著者 (2件):
Mehta Hema
(Dept. of Electronic Science, University of Delhi South Campus, New Delhi-110021)
,
Kaur Harsupreet
(Dept. of Electronic Science, University of Delhi South Campus, New Delhi-110021)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
TENSYMP
ページ:
1-5
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)