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文献
J-GLOBAL ID：201702239441316516
整理番号：17A0027203
選択領域成長:高品質MOS界面を有するリセスゲートGaN MOSFETのための有望な方法
Selective Area Growth: A Promising Way for Recessed Gate GaN MOSFET With High Quality MOS Interface
Zheng Y.
(State Key Laboratory of Optoelectronics Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China)
,
Yang F.
(State Key Laboratory of Optoelectronics Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China)
,
He L.
(State Key Laboratory of Optoelectronics Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China)
,
Yao Y.
(State Key Laboratory of Optoelectronics Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China)
,
Shen Z.
(State Key Laboratory of Optoelectronics Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China)
,
Zhou G.
(State Key Laboratory of Optoelectronics Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China)
,
He Z.
(State Key Laboratory of Optoelectronics Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China)
,
Ni Y.
(State Key Laboratory of Optoelectronics Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China)
,
Zhou D.
(State Key Laboratory of Optoelectronics Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China)
,
Zhong J.
(State Key Laboratory of Optoelectronics Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China)
,
Zhang X.
(State Key Laboratory of Optoelectronics Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China)
,
He L.
(State Key Laboratory of Optoelectronics Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China)
,
Wu Z.
(State Key Laboratory of Optoelectronics Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China)
,
Zhang B.
(State Key Laboratory of Optoelectronics Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China)
,
Liu Y.
(State Key Laboratory of Optoelectronics Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 37 号： 9 ページ： 1193-1196 発行年： 2016年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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