文献
J-GLOBAL ID:201702239446216419
整理番号:17A0046626
100nmAlGaN/GaN技術における超高電力密度WバンドMMIC PA
W-Band MMIC PA With Ultrahigh Power Density in 100-nm AlGaN/GaN Technology
著者 (4件):
Shaobing Wu
(Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, China)
,
Jianfeng Gao
(Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, China)
,
Weibo Wang
(Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, China)
,
Junyun Zhang
(Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, China)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
63
号:
10
ページ:
3882-3886
発行年:
2016年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)