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文献
J-GLOBAL ID:201702239530286489   整理番号:17A0470103

増強電流拡がりと光抽出のための高反射率ITO/DBR p型及びバイアホールベースn型コンタクトを備えたGaNベースフリップチップLED【Powered by NICT】

GaN-based flip-chip LEDs with highly reflective ITO/DBR p-type and via hole-based n-type contacts for enhanced current spreading and light extraction
著者 (7件):
Zhou Shengjun
(School of Power and Mechanical Engineering, Wuhan University, Wuhan 430072, China)
Zhou Shengjun
(School of Mechanical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai 200240, China)
Zheng Chenju
(School of Power and Mechanical Engineering, Wuhan University, Wuhan 430072, China)
Lv Jiajiang
(School of Power and Mechanical Engineering, Wuhan University, Wuhan 430072, China)
Gao Yilin
(School of Power and Mechanical Engineering, Wuhan University, Wuhan 430072, China)
Wang Ruiqing
(Shenzhen Top Chip Technology Co., LTD, Shenzhen 518000, China)
Liu Sheng
(School of Power and Mechanical Engineering, Wuhan University, Wuhan 430072, China)

資料名:
Optics & Laser Technology  (Optics & Laser Technology)

巻: 92  ページ: 95-100  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0245B  ISSN: 0030-3992  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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