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文献
J-GLOBAL ID：201702239722740776
整理番号：17A1406930
共スパッタリング蒸着と蒸着後テルル化アニールプロセスにより合成されたバンドギャップ同調MoS2(1-x)Te2xハイブリッド薄膜
Band gap-tuned MoS2(1-x)Te2x thin films synthesized by a hybrid Co-sputtering and post-deposition tellurization annealing process
HIBINO Yusuke
(Meiji Univ., Kanagawa-ken, JPN)
,
ISHIHARA Seiya
(Meiji Univ., Kanagawa-ken, JPN)
,
SAWAMOTO Naomi
(Meiji Univ., Kanagawa-ken, JPN)
,
OHASHI Takumi
(Tokyo Inst. of Technol., Kanagawa-ken, JPN)
,
MATSUURA Kentarou
(Tokyo Inst. of Technol., Kanagawa-ken, JPN)
,
MACHIDA Hideaki
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo-to, JPN)
,
WAKABAYASHI Hitoshi
(Tokyo Inst. of Technol., Kanagawa-ken, JPN)
,
OGURA Atsushi
(Meiji Univ., Kanagawa-ken, JPN)
資料名：
Journal of Materials Research
(Journal of Materials Research)
巻： 32 号： 16 ページ： 3021-3028 発行年： 2017年08月28日
JST資料番号： D0987B ISSN： 0884-2914 CODEN： JMREEE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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