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文献
J-GLOBAL ID：201702239756161865
整理番号：17A0590324
PECVD超低誘電率pSiCOHの表面および埋め込み界面における分子構造のSFG解析:反応性イオンエッチングおよび誘電性回復
SFG analysis of the molecular structures at the surfaces and buried interfaces of PECVD ultralow-dielectric constant pSiCOH: Reactive ion etching and dielectric recovery
Myers John N.
(Department of Chemistry, University of Michigan, 930 North University Avenue, Ann Arbor, Michigan 48109, USA)
,
Zhang Xiaoxian
(Department of Chemistry, University of Michigan, 930 North University Avenue, Ann Arbor, Michigan 48109, USA)
,
Huang Huai
(IBM Albany Nanotech, 257 Fuller Rd, Albany, New York 12203, USA)
,
Shobha Hosadurga
(IBM Albany Nanotech, 257 Fuller Rd, Albany, New York 12203, USA)
,
Grill Alfred
(IBM T. J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Road, Yorktown Heights, New York 10598, USA)
,
Chen Zhan
(Department of Chemistry, University of Michigan, 930 North University Avenue, Ann Arbor, Michigan 48109, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 110 号： 18 ページ： 182902-182902-5 発行年： 2017年05月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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