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文献
J-GLOBAL ID：201702239801029163
整理番号：17A1457422
MOSFETを用いたn+pシリコンセンサのためのp-噴霧分布の決定【Powered by NICT】
Determination of the p -spray profile for n + p silicon sensors using a MOSFET
Fretwurst E.
(Institute for Experimental Physics, University of Hamburg, Luruper Chaussee 147, D 22761, Hamburg, Germany)
,
Garutti E.
(Institute for Experimental Physics, University of Hamburg, Luruper Chaussee 147, D 22761, Hamburg, Germany)
,
Klanner R.
(Institute for Experimental Physics, University of Hamburg, Luruper Chaussee 147, D 22761, Hamburg, Germany)
,
Kopsalis I.
(Institute for Experimental Physics, University of Hamburg, Luruper Chaussee 147, D 22761, Hamburg, Germany)
,
Schwandt J.
(Institute for Experimental Physics, University of Hamburg, Luruper Chaussee 147, D 22761, Hamburg, Germany)
,
Weberpals M.
(Institute for Experimental Physics, University of Hamburg, Luruper Chaussee 147, D 22761, Hamburg, Germany)
資料名：
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment
(Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment)
巻： 866 ページ： 140-149 発行年： 2017年
JST資料番号： D0208B ISSN： 0168-9002 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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