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文献
J-GLOBAL ID：201702239814090769
整理番号：17A0449187
量子ドットで構成されたインジウムドープ鉛カルコゲン化物(PbSe)-110xIn_x薄膜の合成と特性評価【Powered by NICT】
Synthesis and characterization of Indium doped Lead chalcogenides(PbSe)100-xInx thin films composed of QDs
Ashraf Md. Tanweer
(Department of Applied Sciences and Humanities, Jamia Millia Islamia, New Delhi 25, India)
,
Salah Numan
(Center of Nanotechnology, King Abdulaziz University, Jeddah, Saudi Arabia)
,
Rafat M.
(Department of Applied Sciences and Humanities, Jamia Millia Islamia, New Delhi 25, India)
,
Khana Zishan H.
(Department of Applied Sciences and Humanities, Jamia Millia Islamia, New Delhi 25, India)
資料名：
Journal of Alloys and Compounds
(Journal of Alloys and Compounds)
巻： 701 ページ： 850-857 発行年： 2017年
JST資料番号： D0083A ISSN： 0925-8388 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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