文献
J-GLOBAL ID:201702240175353399
整理番号:17A0214266
サブしきい値スイング<10mV/decadeとサブ0.1体因子を用いたハイブリッド相変化 トンネルFET(PC TFET)スイッチ:ディジタルおよびアナログベンチマーキング【Powered by NICT】
Hybrid phase-change - Tunnel FET (PC-TFET) switch with subthreshold swing < 10mV/decade and sub-0.1 body factor: Digital and analog benchmarking
著者 (13件):
Casu E.A.
(Nanoelectronic Device Laboratory (Nanolab))
,
Vitale W.A.
(Nanoelectronic Device Laboratory (Nanolab))
,
Oliva N.
(Nanoelectronic Device Laboratory (Nanolab))
,
Rosca T.
(Nanoelectronic Device Laboratory (Nanolab))
,
Biswas A.
(Nanoelectronic Device Laboratory (Nanolab))
,
Alper C.
(Nanoelectronic Device Laboratory (Nanolab))
,
Krammer A.
(Solar Energy and Building Physics Laboratory, EPFL, Lausanne, Switzerland)
,
Luong G.V.
(Peter Gruenberg Institut 9, Forschungszentrum Juelich, Germany)
,
Zhao Q.T.
(Peter Gruenberg Institut 9, Forschungszentrum Juelich, Germany)
,
Mantl S.
(Peter Gruenberg Institut 9, Forschungszentrum Juelich, Germany)
,
Schuler A.
(Solar Energy and Building Physics Laboratory, EPFL, Lausanne, Switzerland)
,
Seabaugh A.
(Department of Electrical Engineering, University of Notre Dame, USA)
,
Ionescu A.M.
(Nanoelectronic Device Laboratory (Nanolab))
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
IEDM
ページ:
19.3.1-19.3.4
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)