文献
J-GLOBAL ID:201702240175506036
整理番号:17A0591694
サブ14nmのn型Si FinFETにおける金属-中間層-半導体 ソースドレインの接触抵抗に及ぼす金属窒化物の影響
Impact of Metal Nitrides on Contact Resistivity of Metal-Interlayer-Semiconductor Source/Drain in Sub-14nm n-Type Si FinFET
著者 (6件):
AHN Juhan
(Korea Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Jeong-Kyu
(Korea Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Jong-Kook
(Korea Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Jinok
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
PARK Jin-Hong
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
YU Hyun-Yong
(Korea Univ., Seoul, KOR)
資料名:
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻:
17
号:
5
ページ:
3084-3088
発行年:
2017年05月
JST資料番号:
W1351A
ISSN:
1533-4880
CODEN:
JNNOAR
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)