文献
J-GLOBAL ID:201702240223552340
整理番号:17A0591705
Siナノワイヤイオン感応性電界効果トランジスタ(ISFET)ベースのバイオセンサに関するpH依存電流ドリフトの解析とモデリング
Analysis and Modeling on the pH-Dependent Current Drift of Si Nanowire Ion-Sensitive Field Effect Transistor (ISFET)-Based Biosensors
著者 (10件):
JANG Jungkyu
(Kookmin Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Jungmok
(Kookmin Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Seohyeon
(Kookmin Univ., Seoul, KOR)
,
MO Hyun-Sun
(Kookmin Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Dong Myung
(Kookmin Univ., Seoul, KOR)
,
CHOI Sung-Jin
(Kookmin Univ., Seoul, KOR)
,
PARK Byung-Gook
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Dae Hwan
(Kookmin Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Dae Hwan
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
PARK Jisun
(Kookmin Univ., Seoul, KOR)
資料名:
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻:
17
号:
5
ページ:
3146-3150
発行年:
2017年05月
JST資料番号:
W1351A
ISSN:
1533-4880
CODEN:
JNNOAR
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)