文献
J-GLOBAL ID:201702240248760793
整理番号:17A0937527
効果的なn型FドープMoSe_2単分子層【Powered by NICT】
Effective n-type F-doped MoSe2 monolayers
著者 (5件):
Zhao Xu
(College of Physics and Materials Science, Henan Normal University, Xinxiang, Henan 453007, China. zhaoxu@htu.cn)
,
Zhang Xiaonan
,
Wang Tianxing
,
Wei Shuyi
,
Yang Lin
資料名:
RSC Advances (Web)
(RSC Advances (Web))
巻:
7
号:
43
ページ:
26673-26679
発行年:
2017年
JST資料番号:
U7055A
ISSN:
2046-2069
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)