文献
J-GLOBAL ID:201702240255882040
整理番号:17A0953256
非対称デュアルゲートトンネルFETの2次元解析モデル
Two-dimensional analytical model for asymmetric dual-gate tunnel FETs
著者 (4件):
XU Hui Fang
(Anhui Sci. and Technol. Univ., Anhui, CHN)
,
DAI Yue Hua
(Anhui Univ., Anhui, CHN)
,
GUAN Bang Gui
(Anhui Sci. and Technol. Univ., Anhui, CHN)
,
ZHANG Yong Feng
(Anhui Sci. and Technol. Univ., Anhui, CHN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
56
号:
1
ページ:
014301.1-014301.7
発行年:
2017年01月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)