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文献
J-GLOBAL ID:201702240255882040   整理番号:17A0953256

非対称デュアルゲートトンネルFETの2次元解析モデル

Two-dimensional analytical model for asymmetric dual-gate tunnel FETs
著者 (4件):
XU Hui Fang
(Anhui Sci. and Technol. Univ., Anhui, CHN)
DAI Yue Hua
(Anhui Univ., Anhui, CHN)
GUAN Bang Gui
(Anhui Sci. and Technol. Univ., Anhui, CHN)
ZHANG Yong Feng
(Anhui Sci. and Technol. Univ., Anhui, CHN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)

巻: 56  号:ページ: 014301.1-014301.7  発行年: 2017年01月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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