文献
J-GLOBAL ID:201702240368187310
整理番号:17A1645844
低電力応用のためのスタガードヘテロ接合ナノワイヤ(nW)トンネルFETのアナログ/高周波と直線性の改善【Powered by NICT】
Analog/radiofrequency and linearity performance of staggered heterojunction nanowire(nw) tunnel FET for low power application
著者 (3件):
Biswal Sudhansu Mohan
(Silicon Institute of Technology, Bhubaneswar, Odisha)
,
Baral Biswajit
(Silicon Institute of Technology, Bhubaneswar, Odisha)
,
De Debashis
(MAKAUT, Kolkata, West Bengal)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
DevIC
ページ:
441-445
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)