文献
J-GLOBAL ID:201702240412538650
整理番号:17A0885751
近接ゲッタリングによる増強出力電圧センシングマージンのための水素イオン注入誘起ナノ空洞により設計したSi CMOSイメージセンサ【Powered by NICT】
Si CMOS Image-Sensors Designed With Hydrogen-Ion Implantation Induced Nanocavities for Enhancing Output Voltage Sensing Margin via Proximity Gettering
著者 (4件):
Kim Il-Hwan
(Department of Electronics Computer Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea)
,
Park Jun-Seong
(Department of Electronics Computer Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea)
,
Shim Tae-Hun
(Department of Electronics Computer Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea)
,
Park Jea-Gun
(Department of Electronics Computer Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
64
号:
5
ページ:
2345-2349
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)