文献
J-GLOBAL ID:201702240624556186
整理番号:17A0277115
GaNベース量子井戸発光ダイオードの特性の研究と最適化【Powered by NICT】
Study and optimization of characteristics of GaN based quantum well light emitting diode
著者 (3件):
Jha Chandan Kumar
(Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology, Hamirpur, H.P., India)
,
Vikas
(Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology, Hamirpur, H.P., India)
,
Pandey Saurabh Kumar
(Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology, Patna, Bihar, India)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
ICPEICES
ページ:
1-4
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)