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J-GLOBAL ID：201702240690518870 整理番号：17A0414397

65nm CMOSにおける適応バイアス型60GHz Doherty電力増幅器【Powered by NICT】

Adaptively Biased 60-GHz Doherty Power Amplifier in 65-nm CMOS

著者 (5件)：

Chen Shichang

(Key Lab of RF Circuits and Systems of the Ministry of Education of China, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou, China)

Wang Gaofeng

(Key Lab of RF Circuits and Systems of the Ministry of Education of China, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou, China)

Cheng Zhiqun

(Key Lab of RF Circuits and Systems of the Ministry of Education of China, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou, China)

Qin Pei

(Department of Electronic Engineering, State Key Laboratory of Millimeter Waves, City University of Hong Kong, Hong Kong)

Xue Quan

(Department of Electronic Engineering, State Key Laboratory of Millimeter Waves, City University of Hong Kong, Hong Kong)

資料名：

IEEE Microwave and Wireless Components Letters (IEEE Microwave and Wireless Components Letters)

巻： 27 号： 3 ページ： 296-298 発行年： 2017年
JST資料番号： W0099A ISSN： 1531-1309 CODEN： IMWCBJ 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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