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文献
J-GLOBAL ID：201702240774416286
整理番号：17A1250767
垂直GaN PINダイオードのエッジ終端に及ぼす陽子照射の影響の画像化【Powered by NICT】
Imaging the Impact of Proton Irradiation on Edge Terminations in Vertical GaN PIN Diodes
Collins K. C.
(Sandia National Laboratories, Livermore, CA, USA)
,
King M. P.
(Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA)
,
Dickerson J. R.
(Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA)
,
Vizkelethy G.
(Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA)
,
Armstrong A. M.
(Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA)
,
Fischer A. J.
(Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA)
,
Allerman A. A.
(Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA)
,
Kaplar R. J.
(Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA)
,
Aktas O.
(Quora Technology, Inc., Santa Clara, CA, USA)
,
Kizilyalli I. C.
(U.S. Department of Energy, Advanced Research Project Agency-Energy, Washington, DC, USA)
,
Talin A. A.
(Sandia National Laboratories, Livermore, CA, USA)
,
Leonard F.
(Sandia National Laboratories, Livermore, CA, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 38 号： 7 ページ： 945-948 発行年： 2017年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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