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文献
J-GLOBAL ID：201702240776810364
整理番号：17A0617666
ハイブリッド半導体ヘテロ構造への集積化のために無視できる欠陥生成を伴う単層グラフェンの効率的窒素ドーピング
Efficient Nitrogen Doping of Single-Layer Graphene Accompanied by Negligible Defect Generation for Integration into Hybrid Semiconductor Heterostructures
SARAU George
(Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Berlin, DEU)
,
SARAU George
(Max Planck Inst. for the Sci. of Light, Erlangen, DEU)
,
HEILMANN Martin
(Max Planck Inst. for the Sci. of Light, Erlangen, DEU)
,
BASHOUTI Muhammad
(Max Planck Inst. for the Sci. of Light, Erlangen, DEU)
,
BASHOUTI Muhammad
(Univ. the Negev, Sede Boqer, ISR)
,
LATZEL Michael
(Max Planck Inst. for the Sci. of Light, Erlangen, DEU)
,
LATZEL Michael
(Friedrich-Alexander-Univ. Erlangen-Nuernberg (FAU), Erlangen, DEU)
,
TESSAREK Christian
(Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Berlin, DEU)
,
TESSAREK Christian
(Max Planck Inst. for the Sci. of Light, Erlangen, DEU)
,
CHRISTIANSEN Silke
(Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Berlin, DEU)
,
CHRISTIANSEN Silke
(Max Planck Inst. for the Sci. of Light, Erlangen, DEU)
,
CHRISTIANSEN Silke
(Freie Univ. Berlin, Berlin, DEU)
資料名：
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9 号： 11 ページ： 10003-10011 発行年： 2017年03月22日
JST資料番号： W2329A ISSN： 1944-8244 CODEN： AAMICK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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