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文献
J-GLOBAL ID：201702240935896908
整理番号：17A0557687
原子層堆積によってSi基板上に成長した種々のLa/Al原子比率を持つLaxAlyO膜のバンド整列
Band alignments of LaxAlyO films on Si substrates grown by atomic layer deposition with different La/Al atomic ratios
WANG Xing
(Xidian Univ., Xi’an, CHN)
,
LIU Hongxia
(Xidian Univ., Xi’an, CHN)
,
ZHAO Lu
(Xidian Univ., Xi’an, CHN)
,
FEI Chenxi
(Xidian Univ., Xi’an, CHN)
,
FENG Xingyao
(Xidian Univ., Xi’an, CHN)
,
CHEN Shupeng
(Xidian Univ., Xi’an, CHN)
資料名：
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28 号： 6 ページ： 4702-4705 発行年： 2017年03月
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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