文献
J-GLOBAL ID:201702241199980068
整理番号:17A0775944
同時蒸着により成長させた多結晶GaSb薄膜【Powered by NICT】
Polycrystalline GaSb thin films grown by co-evaporation
著者 (5件):
Qiao Zaixiang
(Institute of Photoelectronic Thin Film Device and Technology, Nankai University)
,
Sun Yun
(Institute of Photoelectronic Thin Film Device and Technology, Nankai University)
,
He Weiyu
(Institute of Photoelectronic Thin Film Device and Technology, Nankai University)
,
He Qing
(Institute of Photoelectronic Thin Film Device and Technology, Nankai University)
,
Li Changjian
(Institute of Photoelectronic Thin Film Device and Technology, Nankai University)
資料名:
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻:
30
号:
3
ページ:
26-29
発行年:
2009年
JST資料番号:
C2377A
ISSN:
1674-4926
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)