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文献
J-GLOBAL ID：201702241320568345
整理番号：17A0318074
高電圧感受性のsSi/Si_0.5Ge_0 5/sSOI量子井戸を持ったイオンに敏感な電界効果トランジスタ【Powered by NICT】
Ion-sensitive field-effect transistor with sSi/Si0.5Ge0.5/sSOI quantum-well for high voltage sensitivity
Wen Jiao
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China)
,
Wen Jiao
(School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, China)
,
Liu Qiang
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China)
,
Liu Qiang
(School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, China)
,
Liu Chang
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China)
,
Wang Yize
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China)
,
Zhang Bo
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China)
,
Xue Zhongying
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China)
,
Di Zengfeng
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China)
,
Min Jiahua
(School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, China)
,
Yu Wenjie
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China)
,
Liu Xinke
(College of Materials Science and Engineering, Shenzhen Key Laboratory of Special Functional Materials, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China)
,
Wang Xi
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China)
,
Zhao Qing-Tai
(Peter Gruenberg Institute 9, JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, Juelich 52425, Germany)
資料名：
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻： 163 ページ： 115-118 発行年： 2016年
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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