文献
J-GLOBAL ID:201702241351892481
整理番号:17A0482475
埋込SiO2/SiC界面の電子バンド構造の軟X線ARPESによる研究
Electronic band structure of the buried SiO2/SiC interface investigated by soft x-ray ARPES
著者 (9件):
Woerle J.
(Paul Scherrer Institut, 5232 Villigen, Switzerland)
,
Bisti F.
(Paul Scherrer Institut, 5232 Villigen, Switzerland)
,
Husanu M.-A.
(Paul Scherrer Institut, 5232 Villigen, Switzerland)
,
Strocov V. N.
(Paul Scherrer Institut, 5232 Villigen, Switzerland)
,
Schneider C. W.
(Paul Scherrer Institut, 5232 Villigen, Switzerland)
,
Sigg H.
(Paul Scherrer Institut, 5232 Villigen, Switzerland)
,
Gobrecht J.
(Paul Scherrer Institut, 5232 Villigen, Switzerland)
,
Grossner U.
(Advanced Power Semiconductor Laboratory, ETH Zurich, Physikstrasse 3, 8092 Zurich, Switzerland)
,
Camarda M.
(Paul Scherrer Institut, 5232 Villigen, Switzerland)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
110
号:
13
ページ:
132101-132101-5
発行年:
2017年03月27日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)