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文献
J-GLOBAL ID：201702241422718552
整理番号：17A0887438
Czochralskiシリコン中の酸素析出物と転位の成長【Powered by NICT】
Growth of Oxygen Precipitates and Dislocations in Czochralski Silicon
Rougieux Fiacre E.
(Research School of Engineering, College of Engineering and Computer Science, Australian National University, Canberra, ACT, Australia)
,
Nguyen Hieu T.
(Research School of Engineering, College of Engineering and Computer Science, Australian National University, Canberra, ACT, Australia)
,
Macdonald D. H.
(Research School of Engineering, College of Engineering and Computer Science, Australian National University, Canberra, ACT, Australia)
,
Mitchell Bernhard
(School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Sydney, NSW, Australia)
,
Falster Robert
(SunEdison Semiconductor, Merano, Italy)
資料名：
IEEE Journal of Photovoltaics
(IEEE Journal of Photovoltaics)
巻： 7 号： 3 ページ： 735-740 発行年： 2017年
JST資料番号： W2305A ISSN： 2156-3381 CODEN： IJPEG8 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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