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文献
J-GLOBAL ID：201702241536178108
整理番号：17A1550647
HVE SnS光吸収材膜上の真空および窒素アニーリングの影響【Powered by NICT】
Impact of vacuum and nitrogen annealing on HVE SnS photoabsorber films
Naidu Revathi
(Department of Materials and Environmental Technology, Tallinn University of Technology, Ehitajate tee 5, Tallinn 19086, Estonia)
,
Loorits Mihkel
(Department of Materials and Environmental Technology, Tallinn University of Technology, Ehitajate tee 5, Tallinn 19086, Estonia)
,
Kaerber Erki
(Department of Materials and Environmental Technology, Tallinn University of Technology, Ehitajate tee 5, Tallinn 19086, Estonia)
,
Volobujeva Olga
(Department of Materials and Environmental Technology, Tallinn University of Technology, Ehitajate tee 5, Tallinn 19086, Estonia)
,
Raudoja Jaan
(Department of Materials and Environmental Technology, Tallinn University of Technology, Ehitajate tee 5, Tallinn 19086, Estonia)
,
Maticiuc Natalia
(Department of Materials and Environmental Technology, Tallinn University of Technology, Ehitajate tee 5, Tallinn 19086, Estonia)
,
Bereznev Sergei
(Department of Materials and Environmental Technology, Tallinn University of Technology, Ehitajate tee 5, Tallinn 19086, Estonia)
,
Mellikov Enn
(Department of Materials and Environmental Technology, Tallinn University of Technology, Ehitajate tee 5, Tallinn 19086, Estonia)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 71 ページ： 252-257 発行年： 2017年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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