文献
J-GLOBAL ID:201702241736152640
整理番号:17A1727302
ランダム離散ドーパントを考慮したDRAMセルトランジスタのTCADシミュレーションのための効果的な電界依存移動度のモデル化【Powered by NICT】
Modeling of the effective field dependent mobility for TCAD simulation of DRAM cell transistors considering the random discrete dopants
著者 (4件):
Kim Daewon
(Department of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, 1 Gwanak-ro, Gwanak-gu, Seoul, Republic of Korea)
,
Yu Hoin
(Department of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, 1 Gwanak-ro, Gwanak-gu, Seoul, Republic of Korea)
,
Rhee Seungman
(Department of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, 1 Gwanak-ro, Gwanak-gu, Seoul, Republic of Korea)
,
Park Young June
(Department of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, 1 Gwanak-ro, Gwanak-gu, Seoul, Republic of Korea)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
SISPAD
ページ:
241-244
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)