文献
J-GLOBAL ID:201702241785914430
整理番号:17A0214204
SiCパワーデバイスの優れた性能と自己加熱によるその限界【Powered by NICT】
Superior performance of SiC power devices and its limitation by self-heating
著者 (1件):
Terashima T.
(Power Semiconductor Device Development Dept., Mitsubishi Electric Corporation, Fukuoka, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
IEDM
ページ:
10.5.1-10.5.4
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)