文献
J-GLOBAL ID:201702241815961045
整理番号:17A0524726
MgZnOの自己補償誘起高電気抵抗率
Self-compensation induced high-resistivity in MgZnO
著者 (6件):
LIU Lishu
(Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
MEI Zengxia
(Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
TANG Aihua
(Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
LIANG Huili
(Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
DU Xiaolong
(Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
DU Xiaolong
(Univ. Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
資料名:
Journal of Physics. D. Applied Physics
(Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻:
50
号:
6
ページ:
065102,1-7
発行年:
2017年02月15日
JST資料番号:
B0092B
ISSN:
0022-3727
CODEN:
JPAPBE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)