文献
J-GLOBAL ID:201702241948186829
整理番号:17A0323185
原子層堆積により成長させたn-ZnO/p-Siヘテロ接合ダイオードのダイオードパラメータに及ぼす成長温度の影響【Powered by NICT】
Effect of growth temperature on diode parameters of n-ZnO/p-Si heterojuction diodes grown by atomic layer deposition
著者 (5件):
Sahu V.K.
(Laser Material Processing Division, Raja Ramanna Centre for Advanced Technology, Indore 452013, MP, India)
,
Misra P.
(Laser Material Processing Division, Raja Ramanna Centre for Advanced Technology, Indore 452013, MP, India)
,
Ajimsha R.S.
(Laser Material Processing Division, Raja Ramanna Centre for Advanced Technology, Indore 452013, MP, India)
,
Das Amit K.
(Laser Material Processing Division, Raja Ramanna Centre for Advanced Technology, Indore 452013, MP, India)
,
Singh B.
(Laser Material Processing Division, Raja Ramanna Centre for Advanced Technology, Indore 452013, MP, India)
資料名:
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻:
54
ページ:
1-5
発行年:
2016年
JST資料番号:
W1055A
ISSN:
1369-8001
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)