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文献
J-GLOBAL ID：201702241983045343
整理番号：17A1256468
GaNを基本とするSchottkyダイオード特性化のためのマイクロ秒時間分解電流崩壊試験装置【Powered by NICT】
A microsecond time resolved current collapse test setup dedicated to GaN-based Schottky diode characterization
Lorin T.
(CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France)
,
Van Den Daele W.
(CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France)
,
Gillot C.
(CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France)
,
Charles M.
(CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France)
,
Biscarrat J.
(CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France)
,
Plissonnier M.
(CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France)
,
Ghibaudo G.
(IMEP-LAHC, Universite ́ Grenoble Alpes, Minatec/INPG, 38016, France)
,
Reimbold G.
(CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： ICMTS ページ： 1-4 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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