文献
J-GLOBAL ID:201702241987111728
整理番号:17A0229889
高周波スパッタリング法により作製した4元系MgおよびAlをコドーピングしたZnO薄膜の透明導電性および広帯域ギャップ特性
Transparent Conductive and Wide Band Gap Characteristics of Quaternary Mg and Al Co-Doped ZnO Thin Films Prepared by Radio Frequency Sputtering Method
著者 (7件):
JEON Ki Seok
(Chonnam National Univ., Gwangju, KOR)
,
SURYAWANSHI M. P.
(Chonnam National Univ., Gwangju, KOR)
,
KIM In Young
(Gwangju Inst. of Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
,
JANG Jun Sung
(Chonnam National Univ., Gwangju, KOR)
,
YUN Jae Ho
(Korea Inst. of Energy Res., Daejeon, KOR)
,
MOON Jong Ha
(Chonnam National Univ., Gwangju, KOR)
,
KIM Jin Hyeok
(Chonnam National Univ., Gwangju, KOR)
資料名:
Science of Advanced Materials
(Science of Advanced Materials)
巻:
8
号:
3
ページ:
669-674
発行年:
2016年03月
JST資料番号:
W2374A
ISSN:
1947-2935
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)