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文献
J-GLOBAL ID：201702242036671029
整理番号：17A0777153
大気による劣化軽減のためのHfS2 FETの真空アニールとパッシベーション
Vacuum Annealing and Passivation of HfS2 FET for Mitigation of Atmospheric Degradation
UPADHYAYA Vikrant
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology)
,
KANAZAWA Toru
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology)
,
MIYAMOTO Yasuyuki
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology)
資料名：
IEICE Transactions on Electronics (Web)
(IEICE Transactions on Electronics (Web))
巻： E100.C 号： 5 ページ： 453-457(J-STAGE) 発行年： 2017年
JST資料番号： U0468A ISSN： 1745-1353 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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